本站4月29日消息，臺積電業務開發資深副總裁張曉強對外表示，臺積電A14制程不采用High-NA EUV技術。
據悉，臺積電A14制程不引入High-NA EUV光刻技術，仍然堅持使用原有的EUV光刻設備，臺積電相信，即便沒有High-NA EUV光刻設備，A14制程依然可以實現性能、密度、良品率等目標。
資料顯示，A14是臺積電的下一世代制程技術，這是臺積電1.4nm級半導體工程，其表現明顯超越當前已經商用的3nm工藝和即將商用的2nm工藝。
臺積電公布的數據顯示，與N2工藝（2nm）相比，A14在相同功耗下實現高達15%的速度提升，或在相同速度下降低高達30%的功耗，同時邏輯密度將提升20%以上。
按照臺積電的計劃，A14計劃于2028年投產，除了A14，臺積電還規劃了A14P、A14X、A14C等多種衍生版本。
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