本站4月25日消息，臺積電在2025年北美技術研討會上透露，公司有望在今年下半年開始量產N2芯片，這是臺積電首個依賴于全環繞柵極（GAA）納米片晶體管的生產技術。
目前，臺積電N3(即3nm)家族包括已經量產的N3、N3E，后續還將推出N3P、N3X、N3A和N3C。
而N2（即2nm）技術是臺積電的全新工藝技術，稱為納米片或環繞柵極。N2將提供全節點性能和功耗優勢，在相同功耗下速度提升10%-15%，或在相同速度下功耗提升20%-30%。
N2與目前臺積電量產的N3E相比，性能可以提高10%-15%，功耗能降低25%-30%，晶體管的密度也可以增加15%。
同時，臺積電表示N2的晶體管性能接近目標，256Mb SRAM模塊的平均良率也超過90%，隨著N2走向量產，工藝成熟度將處于較高水平。臺積電還預計，在智能手機和高性能計算應用的推動下，2nm技術在前兩年的流片數量將高于3nm和5nm技術。
此外，根據臺積電持續改進的戰略，公司還推出了N2P作為N2系列的擴展，N2P是在N2的基礎上又進一步提升了性能和功耗優勢，并計劃于2026年實現投產。
而N2之后將進入A16（即1.6nm）節點。
A16的主要技術特點是其超級電軌架構，也稱為背面供電技術，這種技術將供電網絡移至晶圓背面，從而為正面釋放更多布局空間，提升芯片的邏輯密度和效能。
臺積電在研討會上表示，A16相比N2P在相同電壓和設計下，性能可提升8-10%，相同頻率和晶體管數量下功耗下降15-20%；密度提升在1.07-1.10倍范圍內。
臺積電強調了A16最適合用于信號路由復雜且供電網絡密集的特定HPC產品，而A16量產計劃于2026年下半年進行。
臺積電最后還表示，N2、N2P、A16及其衍生產品將進一步鞏固他們的技術領先地位，使臺積電能夠更好地把握未來增長機遇。
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